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reactive plasma etching

См. также в других словарях:

  • Reactive-ion etching — (RIE) is an etching technology used in microfabrication. It uses chemically reactive plasma to remove material deposited on wafers. The plasma is generated under low pressure (vacuum) by an electromagnetic field. High energy ions from the plasma… …   Wikipedia

  • Reactive-ion etching — Gravure ionique réactive La gravure ionique réactive ou gravure par ions réactifs très souvent appelée par son acronyme anglophone, RIE (pour Reactive Ion Etching), est une technique de gravure sèche des semi conducteurs. Il s agit d une… …   Wikipédia en Français

  • Reactive Ion Etching — Gravure ionique réactive La gravure ionique réactive ou gravure par ions réactifs très souvent appelée par son acronyme anglophone, RIE (pour Reactive Ion Etching), est une technique de gravure sèche des semi conducteurs. Il s agit d une… …   Wikipédia en Français

  • Plasma etching — is a form of plasma processing used to fabricate integrated circuits. It involves a high speed stream of glow discharge (plasma) of an appropriate gas mixture being shot (in pulses) at a sample. The plasma source, known as etch species, can be… …   Wikipedia

  • Deep reactive-ion etching — (DRIE) is a highly anisotropic etch process used to create deep penetration, steep sided holes and trenches in wafers, with aspect ratios of 20:1 or more. It was developed for microelectromechanical systems (MEMS), which require these features,… …   Wikipedia

  • Deep Reactive Ion Etching — Reaktives Ionentiefenätzen (engl. Deep Reactive Ion Etching, DRIE), eine Weiterentwicklung des reaktiven Ionenätzen (RIE), ist ein hoch anisotroper Trockenätzprozess für die Herstellung von Mikrostrukuren in Silicium mit Aspektverhältnissen (das… …   Deutsch Wikipedia

  • Etching (microfabrication) — Etching tanks used to perform Piranha, Hydrofluoric acid or RCA clean on 4 inch wafer batches at LAAS technological facility in Toulouse, France Etching is used in microfabrication to chemically remove layers from the surface of a wafer during… …   Wikipedia

  • Plasma-unterstütztes Ätzen — (physikalisch chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie. Als Trockenätzverfahren stellen sie alternative Strukturierungsverfahren zum sog. Nassätzen (nasschemischen …   Deutsch Wikipedia

  • Plasma processing — is a plasma based material processing technology that aims at modifying the chemical and physical properties of a surface.Plasma processing techniques include: *Plasma activation *Plasma modification *Plasma functionalization *Plasma… …   Wikipedia

  • Plasma-Ätzen — Plasmaätzen ist ein materialabtragendes, plasmaunterstütztes, gaschemisches Trockenätz Verfahren, das besonders in der Halbleitertechnik, Mikrostrukturtechnologie und in der Displaytechnik großtechnisch eingesetzt wird. Der Begriff Plasmaätzen… …   Deutsch Wikipedia

  • Plasma (physics) — For other uses, see Plasma. Plasma lamp, illustrating some of the more complex phenomena of a plasma, including filamentation. The colors are a result of relaxation of electrons in excited states to lower energy states after they have recombined… …   Wikipedia

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